IXTP80N12T2, МОП-транзистор MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
Код товара: 10012567
Цена от:
311,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXTP80N12T2
Продукт | Power MOSFET Modules |
---|---|
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Вес изделия | 3 g |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
Тип | Trench T2 |
Pd - рассеивание мощности | 325 W |
Время спада | 28 ns |
Время нарастания | 14 ns |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 120 V |
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Qg - заряд затвора | 80 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 39 ns |
Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTP80N12T2 , МОП-транзистор MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара