IXFN44N80P, Дискретные полупроводниковые модули 36 Amps 800V
Код товара: 10012485
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
4 643,23 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN44N80P
| Серия | HiPerFET |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Высота | 12.22 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Тип | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| Ширина | 25.42 mm |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 694 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Технология | Si |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN44N80P , Дискретные полупроводниковые модули 36 Amps 800V
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 874 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 773 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара