FF300R07ME4_B11, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V
Артикул:
FF300R07ME4_B11
Производитель:
Описание FF300R07ME4_B11
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tray |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | Module |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1100 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 390 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара