IXFH6N120P, МОП-транзистор POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

Код товара: 10010433

Изображения служат только для ознакомления.

Наименование:
IXFH6N120P
Производитель:

Описание IXFH6N120P

Вес изделия1.600 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
СерияIXFH6N120
УпаковкаTube
ТипPolar HiPerFET Power MOSFET
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокTO-247-3
Высота21.46 mm
Длина16.26 mm
Ширина5.3 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности250 W
Коммерческое обозначениеPolar, HiPerFET
Полярность транзистораN-Channel
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
Id - непрерывный ток утечки6 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.75 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Qg - заряд затвора92 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время спада14 ns
Время нарастания11 ns
Типичное время задержки выключения60 ns
Типичное время задержки при включении24 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3 S

Способы доставки в Калининград

Доставка IXFH6N120P , МОП-транзистор POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.