APT60GF120JRDQ3, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227
Код товара: 10009772
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
21 458,96 руб.
Нет в наличии
Описание APT60GF120JRDQ3
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 149 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка APT60GF120JRDQ3 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара