QPD1020SR, РЧ МОП-транзисторы 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание QPD1020SR
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Технология | GaN-on-SiC |
| Тип | RF Small Signal MOSFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 11.688 g |
| ECCN | EAR99 |
| Рабочая частота | 2.7 GHz to 3.5 GHz |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 2.8 V |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Усиление | 18.4 dB |
| Выходная мощность | 31 W |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара