CSD19532KTT, МОП-транзистор CSD19532Q5B Pkg spin
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание CSD19532KTT
| Серия | CSD19532KTT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 9.25 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 10.26 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 113 S |
| Время спада | 2 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара