IXBH10N170, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds
Код товара: 10006171
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXBH10N170
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Серия | IXBH10N170 |
ECCN | EAR99 |
Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
Вес изделия | 6.500 g |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Tube |
Длина | 16.26 mm |
Ширина | 5.3 mm |
Высота | 21.46 mm |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
Непрерывный коллекторный ток | 16 A |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXBH10N170 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара