IXBF20N300, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Артикул:
IXBF20N300
Производитель:
Описание IXBF20N300
| Вес изделия | 6.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | ISOPLUS-i4-3 |
| Высота | 21.34 mm |
| Длина | 20.29 mm |
| Ширина | 5.21 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 34 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 34 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара