IXYH20N120C3D1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Артикул:
IXYH20N120C3D1
Производитель:
Описание IXYH20N120C3D1
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXYH20N120 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 36 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 36 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара