IXTN60N50L2, MOSFET 60 Amps 500V
Код товара: 10003266
Цена от:
6 311,31 руб.
Нет в наличии
Описание IXTN60N50L2
Вес изделия | 30 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Серия | IXTN60N50 |
Упаковка | Tube |
Тип | Linear Power MOSFET |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Высота | 12.22 mm |
Длина | 38.23 mm |
Ширина | 25.42 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 735 W |
Коммерческое обозначение | Linear L2 |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 53 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Qg - заряд затвора | 610 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 38 ns |
Время нарастания | 40 ns |
Типичное время задержки выключения | 165 ns |
Типичное время задержки при включении | 40 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTN60N50L2 , MOSFET 60 Amps 500V
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара