IXGT32N170, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
Код товара: 10001225
Цена от:
3 757,88 руб.
Нет в наличии
Описание IXGT32N170
Вес изделия | 4.500 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Серия | IXGT32N170 |
Упаковка | Tube |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | TO-268-3 |
Высота | 5.1 mm |
Длина | 16.05 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Ширина | 14 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 350 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.7 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Непрерывный коллекторный ток | 75 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXGT32N170 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара