IXTP120P065T, МОП-транзистор -120 Amps -65V 0.01 Rds
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTP120P065T
| Вес изделия | 2.300 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTP120P065 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 298 W |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V |
| Qg - заряд затвора | 185 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 21 ns |
| Время нарастания | 28 ns |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара