FS50R17KE3_B17, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
Код товара: 10000170
Цена от:
28 720,88 руб.
Нет в наличии
Описание FS50R17KE3_B17
Продукт | IGBT Silicon Modules |
---|---|
Вид монтажа | Chassis Mount |
Упаковка | Tray |
Вес изделия | 180 g |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | Module |
Конфигурация | IGBT-Inverter |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.7 kV |
Pd - рассеивание мощности | 345 W |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 82 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка FS50R17KE3_B17 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара