FS50R17KE3_B17, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
Артикул:
FS50R17KE3_B17
Производитель:
Описание FS50R17KE3_B17
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 180 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка / блок | Module |
| Конфигурация | IGBT-Inverter |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.7 kV |
| Pd - рассеивание мощности | 345 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 82 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара