Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (14)
GT50JR22 GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W
Наличие:
9 332 шт

Внешние склады:
3 374 шт
Цена от:
от 105,12
GT50J325 GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
240W
Наличие:
15 шт

Внешние склады:
22 шт
Цена от:
от 1 427,46
GT30F124 GT30F124 Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 30 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
GT30F125 GT30F125 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 200 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
GT30G122 GT30G122 Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 30 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220SIS (SC-67)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
400V
Макс. ток коллектора:
30A
GT30J124 GT30J124 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
GT30J127 GT30J127 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А/200 А, 25 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
GT30J322 GT30J322 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
GT35J321 GT35J321 Биполярный транзистор IGBT, 75 Вт, 600 В, 20 А (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Акция
GT45G122 GT45G122 Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 45 А, 25 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
400V
Макс. ток коллектора:
45A
Макс. рассеиваемая мощность:
25W
Акция
GT50J325 GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO264
GT50J327 GT50J327 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Акция
GT60N321 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
2-21F2C
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
170W
GT60PR21
Производитель:
Toshiba Semiconductor
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"