Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

131
Производитель: ST Microelectronics
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (131)
Акция
STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
268 шт
Цена от:
от 168,30
STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 62 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 53,16
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 10A 75Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
10A
Импульсный ток коллектора макс.:
10A
Макс. рассеиваемая мощность:
75W
Переключаемая энергия:
2.59mJ (on), 9mJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 548 шт
Цена от:
от 290,94
STGF10NB60SD STGF10NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 25 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
25 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
13 600 шт
Цена от:
от 128,70
STGF15M65DF2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 30A 31Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 726 шт
Цена от:
от 127,68
STGF20H60DF STGF20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 37 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
37 Вт
Переключаемая энергия:
209 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
549 шт
Цена от:
от 180,24
STGF7NB60SL STGF7NB60SL Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 25 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
25 Вт
Переключаемая энергия:
4.1 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
296 шт
Цена от:
от 275,46
STGP10H60DF STGP10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
83 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
256 шт
Цена от:
от 127,38
STGP15H60DF STGP15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
136 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
231 шт
Цена от:
от 148,50
STGP20V60DF STGP20V60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 167Вт TO220AB
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
167W
Переключаемая энергия:
200 µJ (on), 130 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
160 шт
Цена от:
от 248,64
STGP20V60F STGP20V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
200 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
757 шт
Цена от:
от 189,78
STGP3HF60HD STGP3HF60HD Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 7.5A 38 Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 337 шт
Цена от:
от 63,66
STGW19NC60HD STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 640 шт
Цена от:
от 130,50
STGW20H60DF STGW20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
209 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
960 шт
Цена от:
от 193,20
Акция
STGW20H65FB STGW20H65FB Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
30 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 328,20
Новинка
STGW20IH125DF STGW20IH125DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1250В 40A 259Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
259W
Переключаемая энергия:
410 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
980 шт
Цена от:
от 235,44
STGW30H60DFB STGW30H60DFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 112 шт
Цена от:
от 296,88
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
220 Вт
Переключаемая энергия:
1.66 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
114 шт
Цена от:
от 482,10
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
125 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
350 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
960 шт
Цена от:
от 279,18
Акция
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 468 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
468 Вт
Переключаемая энергия:
1 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
505 шт
Цена от:
от 1 002,12
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"