Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

114
Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (114)
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 160A 454Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
454W
NGTB40N120IHRWG NGTB40N120IHRWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 384 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
384W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
NGTB50N60FL2WG Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 50A TO247
Производитель:
ON Semiconductor
NGTG15N60S1EG NGTG15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
SGF5N150UFTU SGF5N150UFTU Биполярный транзистор IGBT, 1500 В, 10 А, 62.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1500 В
Макс. ток коллектора:
10 А
Импульсный ток коллектора макс.:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62.5 Вт
Переключаемая энергия:
190 мкДж
SGH30N60RUFDTU SGH30N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 235 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Акция
SGH40N60UFD SGH40N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
160W
SGH80N60UFDTU SGH80N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 195 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
195 Вт
Переключаемая энергия:
570 мкДж
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
160 А
Импульсный ток коллектора макс.:
300 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
2.5 мДж
SGL50N60RUFDTU SGL50N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.68 мДж
SGP23N60UFDTU SGP23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
SGS10N60RUFDTU SGS10N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 55 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
55 Вт
Переключаемая энергия:
141 мкДж
SGS23N60UFDTU SGS23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 73 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
73 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
TIG065E8-TL-H Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 400В автомобильного применения 8-Pin ECH лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-ECH
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
400V
Импульсный ток коллектора макс.:
150A
На странице: