Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor
114
Производители:
ON Semiconductor
HGTG30N60C3D
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 63 А, 208 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTG40N60A4
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTG5N120BND
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTP10N120BN
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Акция
HGTP12N60A4D
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HGTP12N60C3D
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 104 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Акция
HGTP14N36GVL
Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 14 А, 100 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HGTP20N60A4
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
ISL9V2040D3ST
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 10 А, 130 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
ISL9V3040D3ST
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
ISL9V3040P3
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
ISL9V3040S3ST
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
ISL9V5036S3ST
Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 46 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
ISL9V5045S3ST
Биполярный транзистор IGBT, 480 В, 51 А, 300 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
NGTB03N60R2DT4G
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
NGTB15N60S1EG
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
NGTB30N120IHSWG
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
NGTB35N65FL2WG
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 70 А, 300 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
NGTB40N120FL2WG
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Сообщите мне о поступлении товара