Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (114)

FGPF4633TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 330V Макс. ток коллектора: 70A Макс. рассеиваемая мощность: 30W

Сообщить о поступлении

FGPF50N33BT Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 330V Макс. ток коллектора: 50A Макс. рассеиваемая мощность: 43W

Сообщить о поступлении

Акция

FGT313 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 30 А/200 А, 35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 330V Макс. ток коллектора: 30A/200A Макс. рассеиваемая мощность: 35W

Сообщить о поступлении

FGY40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

FGY75N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 150 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 750 Вт Переключаемая энергия: 2.3 мДж

Сообщить о поступлении

FGY75T120SQDN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3

Сообщить о поступлении

HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 35 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж

Сообщить о поступлении

HGT1S12N60A4DS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 54 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTD1N120BNS9A Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 5.3 А Импульсный ток коллектора макс.: 6 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTD7N60C3S9A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 60 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 14 А Импульсный ток коллектора макс.: 56 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 165 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG10N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 43 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 950 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 54 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG12N60C3D IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 24A Импульсный ток коллектора макс.: 96A Макс. рассеиваемая мощность: 104W Переключаемая энергия: 380 µJ (on), 900 µJ (off)

Сообщить о поступлении

HGTG18N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 54 А, 390 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

HGTG20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 105 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG20N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 105 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

HGTG30N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 280 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG30N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3LD (Case 340CK) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 280 мкДж

Сообщить о поступлении

HGTG30N60B3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 208 Вт Переключаемая энергия: 550 мкДж

Сообщить о поступлении