Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (114)
FGPF4633TU FGPF4633TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
70A
Макс. рассеиваемая мощность:
30W
FGPF50N33BT FGPF50N33BT Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
43W
Акция
FGT313 FGT313 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 30 А/200 А, 35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
30A/200A
Макс. рассеиваемая мощность:
35W
FGY40T120SMD FGY40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGY75N60SMD FGY75N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
750 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
5.3 А
Импульсный ток коллектора макс.:
6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
HGTD7N60C3S9A HGTD7N60C3S9A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
14 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
165 мкДж
HGTG10N120BND HGTG10N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTG11N120CND HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
43 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
HGTG12N60A4D HGTG12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
HGTG12N60C3D HGTG12N60C3D Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 24A 104Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
24A
Импульсный ток коллектора макс.:
96A
Макс. рассеиваемая мощность:
104W
Переключаемая энергия:
380 µJ (on), 900 µJ (off)
HGTG18N120BND HGTG18N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 54 А, 390 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
105 мкДж
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
105 мкДж
Акция
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
280 мкДж
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3LD (Case 340CK)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
280 мкДж
HGTG30N60B3D HGTG30N60B3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
На странице: