Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (114)
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH60N60SMD FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
600 Вт
Переключаемая энергия:
1.26 мДж
FGH60N60UFDTU FGH60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
FGH75N60UFTU FGH75N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
452 Вт
Переключаемая энергия:
3.05 мДж
FGH75T65UPD FGH75T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 150 А, 375 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
2.85 мДж
FGH80N60FDTU FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
1mJ (on), 520 µJ (off)
FGHL50T65SQ FGHL50T65SQ Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 50 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
FGL40N120ANDTU FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
64A
Макс. рассеиваемая мощность:
500W
FGL40N120ANTU FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
64 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
500 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
139 Вт
Переключаемая энергия:
150 мкДж
FGP15N60UNDF FGP15N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 178 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Новинка
FGP20N60UFD FGP20N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
FGP20N60UFDTU FGP20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
FGPF4533 FGPF4533 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4533TU FGPF4533TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4536 FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4536 FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4633 FGPF4633 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F formed lead
На странице: