Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (114)

FGH30N60LSDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 1.1 мДж

Сообщить о поступлении

FGH30S130P Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1300 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 500 Вт

Сообщить о поступлении

FGH40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 417 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.13 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.13 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 870 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 666,13₽

Акция

FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 1.3 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N65UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T100SMD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 333 Вт Переключаемая энергия: 2.35 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 555 Вт Переключаемая энергия: 2.7 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T120SMDL4 Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

FGH40T120SMD_F155 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

FGH40T65SPD_F155 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 267 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 267 Вт Переключаемая энергия: 1.16 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 268 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 1.59 мДж

Сообщить о поступлении

FGH50N3 Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 75 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 300 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 130 мкДж

Сообщить о поступлении

FGH50N6S2D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 260 мкДж

Сообщить о поступлении

FGH50T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 100 А, 340 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 340 Вт Переключаемая энергия: 2.7 мДж

Сообщить о поступлении

FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 378 Вт Переключаемая энергия: 1.79 мДж

Сообщить о поступлении