Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (114)
FGH30N60LSDTU FGH30N60LSDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
1.1 мДж
FGH30S130P FGH30S130P Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1300 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
500 Вт
FGH40N120ANTU FGH40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 417 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.13 мДж
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.13 мДж
FGH40N60SMD FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
870 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 652,74
Акция
FGH40N60SMDF FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
1.3 мДж
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
FGH40N60UFTU FGH40N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
FGH40N65UFDTU FGH40N65UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
FGH40T100SMD FGH40T100SMD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.35 мДж
FGH40T120SMD FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
555 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
FGH40T120SMDL4
Производитель:
ON Semiconductor
FGH40T120SMD_F155 FGH40T120SMD_F155 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40T65SPD_F155 FGH40T65SPD_F155 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 267 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
267 Вт
Переключаемая энергия:
1.16 мДж
FGH40T65UPD FGH40T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 268 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
1.59 мДж
FGH50N3 FGH50N3 Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 75 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
300 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
FGH50N6S2D FGH50N6S2D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
260 мкДж
FGH50T65UPD FGH50T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 100 А, 340 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
340 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
378 Вт
Переключаемая энергия:
1.79 мДж
На странице: