Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (114)

FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 45 А Макс. рассеиваемая мощность: 186 Вт Переключаемая энергия: 3 мДж

Сообщить о поступлении

FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт

Сообщить о поступлении

FGA20S125P-SN00336 Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 40 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт

Сообщить о поступлении

FGA20S140P Биполярный транзистор IGBT, 1400 В, 40 А, 272 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P

Сообщить о поступлении

FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 312 Вт Переключаемая энергия: 4.1 мДж

Сообщить о поступлении

FGA25S125P Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 75 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт

Сообщить о поступлении

FGA30S120P IGBT 1300V 60A 348W TO3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P

Сообщить о поступлении

FGA50N100BNTD2 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 156 Вт

Сообщить о поступлении

FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 1.81 мДж

Сообщить о поступлении

FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PN Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт Переключаемая энергия: 1.54 мДж

Сообщить о поступлении

FGA90N33ATDTU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P

Сообщить о поступлении

FGAF40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 79 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF

Сообщить о поступлении

FGB20N60SF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 208 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж

Сообщить о поступлении

FGB3040CS Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W

Сообщить о поступлении

FGD3040G2-F085 Trans IGBT Chip N-CH 390V 25.6A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 390 В Макс. ток коллектора: 25.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 150 Вт

Сообщить о поступлении

FGD3N60LSDTM Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 6 А Импульсный ток коллектора макс.: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 40 Вт Переключаемая энергия: 250 мкДж

Сообщить о поступлении

FGD3N60UNDF IGBT 600V 6A 60W DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6A Импульсный ток коллектора макс.: 9A Макс. рассеиваемая мощность: 60W Переключаемая энергия: 52 µJ (on), 30 µJ (off)

Сообщить о поступлении

FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 165 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж

Сообщить о поступлении

FGH20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

FGH25N120FTDS Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 75 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 1.42 мДж

Сообщить о поступлении