Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (114)
FGA15N120ANTDTU_F109 FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
186 Вт
Переключаемая энергия:
3 мДж
FGA20N120FTDTU FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
FGA20S125P-SN00336 FGA20S125P-SN00336 Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
FGA20S140P FGA20S140P Биполярный транзистор IGBT, 1400 В, 40 А, 272 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
312 Вт
Переключаемая энергия:
4.1 мДж
FGA25S125P FGA25S125P Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
FGA30S120P FGA30S120P IGBT 1300V 60A 348W TO3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGA50N100BNTD2 FGA50N100BNTD2 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
156 Вт
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
1.81 мДж
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PN
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
600 Вт
Переключаемая энергия:
1.54 мДж
FGA90N33ATDTU FGA90N33ATDTU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGAF40N60SMD FGAF40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 79 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
FGB20N60SF FGB20N60SF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
FGB3040CS FGB3040CS Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
430V
Макс. ток коллектора:
21A
Макс. рассеиваемая мощность:
150W
FGD3040G2-F085 FGD3040G2-F085 Trans IGBT Chip N-CH 390V 25.6A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
390 В
Макс. ток коллектора:
25.6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
150 Вт
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
25 А
Макс. рассеиваемая мощность:
40 Вт
Переключаемая энергия:
250 мкДж
FGD3N60UNDF FGD3N60UNDF IGBT 600V 6A 60W DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
6A
Импульсный ток коллектора макс.:
9A
Макс. рассеиваемая мощность:
60W
Переключаемая энергия:
52 µJ (on), 30 µJ (off)
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
165 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
FGH20N60UFDTU FGH20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH25N120FTDS FGH25N120FTDS Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
313 Вт
Переключаемая энергия:
1.42 мДж
На странице: