Одиночные IGBT транзисторы IXYS Corporation

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (17)
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ IGBT 1200V 58A 195W TO247
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
MAX247
IXBF32N300 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 3000В 40A 160Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
ISOPLUS i4-PAC[тм]
IXBH42N170 IXBH42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO247
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247AD
IXBH42N170A IXBH42N170A IGBT 1700V 80A 360W TO247
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247AD
IXBX75N170 IXBX75N170 IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
PLUS247[тм]-3
IXGA20N120A3 IGBT 1200V 40A 180W TO263
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-263 (IXGA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
180W
Переключаемая энергия:
2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
IXGH32N170 IXGH32N170 IGBT 1700V 75A 350W TO247AD
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1700V
Макс. ток коллектора:
75A
Импульсный ток коллектора макс.:
200A
Макс. рассеиваемая мощность:
350W
Переключаемая энергия:
11mJ (off)
IXGH32N170A IXGH32N170A Биполярный транзистор IGBT, 1700 В, 32 А, 350 Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1700 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Импульсный ток коллектора макс.:
110 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
1.5 мДж
IXGH48N60C3 IXGH48N60C3 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 300 Вт TO247AD
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
75A
Импульсный ток коллектора макс.:
250A
Макс. рассеиваемая мощность:
300W
Переключаемая энергия:
410 µJ (on), 230 µJ (off)
Акция
IXGH60N60C2 Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 56 А, 150 Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247AD
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 300A 830Вт 4Pin SOT-227B
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
SOT-227
Акция
IXGP90N33TCM-A IXGP90N33TCM-A Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 40 А, 57 Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
57W
IXLF19N250A IXLF19N250A Биполярный транзистор IGBT, 2500 В, 32 А, 250 Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
ISOPLUS i4-PAC[тм]
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
2500 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
15 мДж
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IGBT 650V 234A 880W TO247AD
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
234A
Импульсный ток коллектора макс.:
600A
Макс. рассеиваемая мощность:
880W
Переключаемая энергия:
2.3mJ (on), 600 µJ (off)
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IGBT 600V 100A 600W TO247AD
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
100A
Импульсный ток коллектора макс.:
200A
Макс. рассеиваемая мощность:
600W
Переключаемая энергия:
720 µJ (on), 330 µJ (off)
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4 IGBT 650V 118A 455W TO247AD
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
118A
Импульсный ток коллектора макс.:
240A
Макс. рассеиваемая мощность:
455W
Переключаемая энергия:
3.2mJ (on), 830 µJ (off)
IXYN82N120C3H1 IXYN82N120C3H1 IGBT-транзистор 1200В 105А 500Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
SOT-227
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
105A
Макс. рассеиваемая мощность:
500W
На странице: