Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

359
Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (359)
IRGS6B60KDPBF IRGS6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 90 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
13 А
Импульсный ток коллектора макс.:
26 А
Макс. рассеиваемая мощность:
90 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
IRGS8B60KPBF IRGS8B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 167 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
34 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
SGB02N120ATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 6.2A 62Вт TO263-3
Производитель:
Infineon Technologies
SGB07N120ATMA1 SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
16.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W
SGB10N60A SGB10N60A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 92 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
SGD02N120BUMA1 SGD02N120BUMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
SGD02N120BUMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 6.2A 62Вт TO252-3
Производитель:
Infineon Technologies
SGP02N120 SGP02N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
6.2 А
Импульсный ток коллектора макс.:
9.6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
SGP02N120XKSA1 SGP02N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
6.2A
Макс. рассеиваемая мощность:
62W
SGP07N120XKSA1 SGP07N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
16.5 А
Импульсный ток коллектора макс.:
27 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
1 мДж
SGP15N120XKSA1 SGP15N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
198 Вт
Переключаемая энергия:
1.9 мДж
SGW15N120 SGW15N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А, 198 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
SGW30N60HS SGW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
41A
Макс. рассеиваемая мощность:
250W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
70 шт
Цена от:
от 434,22
Акция
SGW50N60HS SGW50N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 416 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
416 Вт
Переключаемая энергия:
1.96 мДж
SIGC100T60R3EX1SA1
Производитель:
Infineon Technologies
SKB02N120ATMA1 SKB02N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
6.2A
Макс. рассеиваемая мощность:
62W
SKW30N60 SKW30N60 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
SKW30N60HS SKW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
112 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"