Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (356)
IRG7PH42UD1-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 350 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD
IRG7PH42UD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 85A Макс. рассеиваемая мощность: 313W Переключаемая энергия: 1.21 мДж
Акция IRG7PH42UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 320 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 85 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 320 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж
Акция IRG7PH42UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 90 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 385 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж
IRG7PH46UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 2.61 мДж
IRG7PH46UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 130 А, 469 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 130 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.56 мДж
IRG7PH50K10D-EPBF IGBT 1200V 90A 400W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
Акция IRG7PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 556 Вт Переключаемая энергия: 3.6 мДж
Акция IRG7PSH54K10DPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 120 А, 520 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247
IRGB14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430 В Макс. ток коллектора: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
IRGB30B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 78 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 370 Вт Переключаемая энергия: 350 мкДж
IRGB4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
IRGB4060DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 99 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220
IRGB4064DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 101 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 101 Вт Переключаемая энергия: 29 мкДж
Акция IRGB4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
IRGB4615DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 99 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 24 А Макс. рассеиваемая мощность: 99 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж
IRGB5B120KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 12 А, 89 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220
IRGB6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 90 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220
IRGIB10B60KD1P IGBT 600V 16A 44W TO220FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 16A Импульсный ток коллектора макс.: 32A Макс. рассеиваемая мощность: 44W Переключаемая энергия: 156 µJ (on), 165 µJ (off)
IRGIB15B60KD1P Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 52 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 19 А Импульсный ток коллектора макс.: 38 А Макс. рассеиваемая мощность: 52 Вт Переключаемая энергия: 127 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"