Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (356)

IRG4PC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 630 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC30FPBF IGBT 600V 31A 100W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 31A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 100W Переключаемая энергия: 230 µJ (on), 1.18mJ (off)

Сообщить о поступлении

IRG4PC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 28 А Импульсный ток коллектора макс.: 58 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 34 А Импульсный ток коллектора макс.: 68 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 260 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC40FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 27 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 49 А Импульсный ток коллектора макс.: 196 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 950 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC40KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 42 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 950 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 710 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 104 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 52 А Импульсный ток коллектора макс.: 104 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.61 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 52 А Импульсный ток коллектора макс.: 104 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 140 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 720 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 990 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

90 шт

Цена от:

от 136,09₽

Акция

IRG4PC50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC

Сообщить о поступлении

IRG4PC60FPBF IGBT 600V 90A 520W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 90A Импульсный ток коллектора макс.: 360A Макс. рассеиваемая мощность: 520W Переключаемая энергия: 300Вќ µJ (on), 4.6mJ (off)

Сообщить о поступлении

IRG4PC60UPBF IGBT 600V 75A 520W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 75A Импульсный ток коллектора макс.: 300A Макс. рассеиваемая мощность: 520W Переключаемая энергия: 280 µJ (on), 1.1mJ (off)

Сообщить о поступлении

IRG4PF50WDPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 900 В Макс. ток коллектора: 51 А Импульсный ток коллектора макс.: 204 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 2.63 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 620 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH20KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 950 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 640 мкДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"