Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (25)

GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600V

Макс. ток коллектора:

50A

Макс. рассеиваемая мощность:

230W

Наличие:

9 781 шт

Внешние склады:

3 908 шт

Цена от:

от 112,74₽

STGWT30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

60 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

258 Вт

Переключаемая энергия:

383 мкДж

Наличие:

54 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 229,92₽

Акция

RJH3047DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

330V

Макс. ток коллектора:

50A

Наличие:

26 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 174,90₽

FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

30 А

Импульсный ток коллектора макс.:

45 А

Макс. рассеиваемая мощность:

186 Вт

Переключаемая энергия:

3 мДж

Сообщить о поступлении

FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Сообщить о поступлении

FGA20S125P-SN00336 Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 40 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1250 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Сообщить о поступлении

FGA20S140P Биполярный транзистор IGBT, 1400 В, 40 А, 272 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Сообщить о поступлении

FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

90 А

Макс. рассеиваемая мощность:

312 Вт

Переключаемая энергия:

4.1 мДж

Сообщить о поступлении

FGA25S125P Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1250 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

75 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Сообщить о поступлении

FGA30S120P IGBT 1300V 60A 348W TO3P

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Сообщить о поступлении

FGA50N100BNTD2 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1000 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

200 А

Макс. рассеиваемая мощность:

156 Вт

Сообщить о поступлении

FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Переключаемая энергия:

1.81 мДж

Сообщить о поступлении

FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PN

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

650 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

600 Вт

Переключаемая энергия:

1.54 мДж

Сообщить о поступлении

FGA90N33ATDTU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Сообщить о поступлении

GT50J327 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600V

Макс. ток коллектора:

50A

Сообщить о поступлении

Акция

RJH3077DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-3P

Сообщить о поступлении

Акция

RJH60F5DPK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-3P

Сообщить о поступлении

Акция

RJK5020DPK Полевой транзистор, N-канал, 500 В, 40 А, 200 Вт

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-3P

Сообщить о поступлении

Акция

RJK6015DPK Полевой транзистор, N-канал, 600 В, 21 А, 150 Вт

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-3P

Сообщить о поступлении

Акция

SGH40N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600V

Макс. ток коллектора:

40A

Макс. рассеиваемая мощность:

160W

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"