Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (262)
IGW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 333 Вт Переключаемая энергия: 2.36 мДж
IGW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж
IGW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 520 мкДж
IGW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 428 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 150A Макс. рассеиваемая мощность: 428W
IHW20N120R5XKSA1 IGBT 1200V 40A 288W TO247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 288W Переключаемая энергия: 750 µJ (off)
IHW30N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 349 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
IHW40N135R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 80 А, 429 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
IHW40N65R5XKSA1 IGBT 650V 80A 230W TO247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 230W Переключаемая энергия: 630 µJ (on), 140 µJ (off)
IKA08N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 10.8 А, 31.2 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 10.8 А Импульсный ток коллектора макс.: 24 А Макс. рассеиваемая мощность: 31.2 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж
IKP08N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 18 А, 70 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 18 А Импульсный ток коллектора макс.: 24 А Макс. рассеиваемая мощность: 70 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж
IKP08N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 18 А, 70 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 18 А Импульсный ток коллектора макс.: 24 А Макс. рассеиваемая мощность: 70 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж
IKW15T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 110W
IKW40N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 360 мкДж
IKW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3
IKW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж
IKW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 150A Макс. рассеиваемая мощность: 305W Переключаемая энергия: 520 µJ (on), 180 µJ (off)
IKW75N60H3FKSA1 IGBT 600V 80A 428W TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 225A Макс. рассеиваемая мощность: 428W Переключаемая энергия: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
IKW75N65EH5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650В 90А 395Вт [TO-247] Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3
IRG4P254S Биполярный транзистор IGBT, 250 В, 98 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 250 В Макс. ток коллектора: 98 А Импульсный ток коллектора макс.: 196 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
IRG4PC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 630 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"