Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (262)

IRGP4063PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 96 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж

Наличие:

68 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 336,26₽

IRGP4066D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 454 Вт Переключаемая энергия: 2.47 мДж

Наличие:

35 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 939,10₽

IRGP4068D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 96A Макс. рассеиваемая мощность: 330W Переключаемая энергия: 1.28 мДж

Наличие:

33 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 690,11₽

IRGP4068DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 96A Переключаемая энергия: 1.28 мДж

Наличие:

188 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 414,99₽

IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 65 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж

Наличие:

129 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 580,83₽

IRGP4650DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 76 А Импульсный ток коллектора макс.: 105 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж

Наличие:

73 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 724,04₽

IRGP4660DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж

Наличие:

32 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 510,36₽

IRGP4790DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 455 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V

Наличие:

35 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 809,27₽

RJH60F5DPQ Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 260W

Наличие:

0 шт

Под заказ:

60 шт

Цена от:

от 676,88₽

RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 90A Макс. рассеиваемая мощность: 320W

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 338,78₽

Акция

SGW25N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 46 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 3.7 мДж

Наличие:

14 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 359,25₽

SGW30N60FK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 112 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 1.15 мДж

Наличие:

70 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 597,83₽

SKW25N120FK Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 46 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 3.7 мДж

Наличие:

22 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 785,37₽

STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 42 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 85 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

40 шт

Цена от:

от 971,86₽

STGW20H65FB Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247

Наличие:

30 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 518,26₽

STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж

Наличие:

480 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 298,25₽

STGW30H60DFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 260 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

7 шт

Цена от:

от 607,41₽

STGW30H65FB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 260 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 151 мкДж

Наличие:

60 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 417,11₽

STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж

Наличие:

5 шт

Под заказ:

1 810 шт

Цена от:

от 205,46₽

STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 258 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж

Наличие:

99 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 282,88₽

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"