Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (262)
IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 333W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 980 шт
Цена от:
от 454,46
IKW50N65H5FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 305Вт PG-TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 150A Макс. рассеиваемая мощность: 305W Переключаемая энергия: 520 µJ (on), 180 µJ (off)
Наличие:
205 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 269,99
IKW75N65EL5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 75A с защитным диодом TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 980 шт
Цена от:
от 632,02
IRG4PC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
750 шт
Цена от:
от 1 564,14
IRG4PC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж
Наличие:
60 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 551,04
Акция IRG4PC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 454,44
Акция IRG4PC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 110 мкДж
Наличие:
159 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
229 шт
Цена от:
от 621,92
IRG4PC50FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж
Наличие:
29 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4 286,52
Акция IRG4PC50FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
Наличие:
8 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 530,20
IRG4PC50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 104 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 52 А Импульсный ток коллектора макс.: 104 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.61 мДж
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 783,23
IRG4PC50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 120 мкДж
Наличие:
42 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 008,48
IRG4PF50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 900 В Макс. ток коллектора: 51 А Импульсный ток коллектора макс.: 204 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 190 мкДж
Наличие:
126 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 885,60
IRG4PH40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 82 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
Наличие:
118 шт

Под заказ:
15 шт
Цена от:
от 1 107,16
Акция IRG7PH35UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 180 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж
Наличие:
103 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 359,53
Акция IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 210 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж
Наличие:
117 шт

Под заказ:
160 шт
Цена от:
от 430,44
IRG7PH46UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 108 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 2.61 мДж
Наличие:
35 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 432,40
IRGP20B120UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 850 мкДж
Наличие:
59 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 772,14
IRGP20B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 220 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 678,02
IRGP35B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 308 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж
Наличие:
217 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 524,93
Акция IRGP4063PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 96 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
68 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 313,12
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"