Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (262)
IRGP4069D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 76 А Импульсный ток коллектора макс.: 105 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
IRGP4069DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 76 А Импульсный ток коллектора макс.: 105 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
IRGP4263DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 90 А, 325 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 90 А Импульсный ток коллектора макс.: 192 А Макс. рассеиваемая мощность: 325 Вт Переключаемая энергия: 2.9 мДж
IRGP4266DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 140 А, 455 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 300 А Макс. рассеиваемая мощность: 455 Вт Переключаемая энергия: 2.5 мДж
Акция IRGP4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 32 А Импульсный ток коллектора макс.: 36 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж
IRGP4630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 47 А Импульсный ток коллектора макс.: 54 А Макс. рассеиваемая мощность: 206 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
IRGP4640PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
IRGP4650D-EPBF IGBT 600V 76A 268W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 76A Импульсный ток коллектора макс.: 105A Макс. рассеиваемая мощность: 268W Переключаемая энергия: 390 µJ (on), 632 µJ (off)
IRGP4650D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
IRGP4660D-EPBF IGBT 600V 100A 330W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 100A Импульсный ток коллектора макс.: 144A Макс. рассеиваемая мощность: 330W Переключаемая энергия: 625 µJ (on), 1.28mJ (off)
Акция IRGP50B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 370 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 370 Вт Переключаемая энергия: 360 мкДж
IRGP6640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 53 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 53 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 300 мкДж
Акция IRGP6660DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 95 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 95 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
IXBH9N160G Биполярный транзистор IGBT 1600В 9А 100Вт TO247AD Производитель: Littelfuse Корпус: TO-247AD
IXGH32N170 IGBT 1700V 75A 350W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1700V Макс. ток коллектора: 75A Импульсный ток коллектора макс.: 200A Макс. рассеиваемая мощность: 350W Переключаемая энергия: 11mJ (off)
IXGH32N170A Биполярный транзистор IGBT, 1700 В, 32 А, 350 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1700 В Макс. ток коллектора: 32 А Импульсный ток коллектора макс.: 110 А Макс. рассеиваемая мощность: 350 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж
IXGH48N60C3 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 300 Вт TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 75A Импульсный ток коллектора макс.: 250A Макс. рассеиваемая мощность: 300W Переключаемая энергия: 410 µJ (on), 230 µJ (off)
Акция IXSH45N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 300 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: TO-247
IXXH110N65C4 IGBT 650V 234A 880W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 234A Импульсный ток коллектора макс.: 600A Макс. рассеиваемая мощность: 880W Переключаемая энергия: 2.3mJ (on), 600 µJ (off)
IXXH50N60C3 IGBT 600V 100A 600W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 100A Импульсный ток коллектора макс.: 200A Макс. рассеиваемая мощность: 600W Переключаемая энергия: 720 µJ (on), 330 µJ (off)
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"