Одиночные IGBT транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (262)

IRG4PH40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 82 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 1.04 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PH50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 3.83 мДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 828 шт

Цена от:

от 252,94₽

IRG4PH50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.21 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PH50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 828 шт

Цена от:

от 252,94₽

IRG4PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 530 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH30K10DPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 180 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 27 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт Переключаемая энергия: 530 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG7PH42U-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 90 А, 385 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 90 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 385 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH42UD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 85A Макс. рассеиваемая мощность: 313W Переключаемая энергия: 1.21 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG7PH42UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 320 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 85 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 320 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG7PH42UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 78 А, 385 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 90 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 385 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH46UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 2.61 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH46UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 130 А, 469 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 130 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.56 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH50K10D-EPBF IGBT 1200V 90A 400W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

Акция

IRG7PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 556 Вт Переключаемая энергия: 3.6 мДж

Сообщить о поступлении

IRGP20B120U-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 850 мкДж

Сообщить о поступлении

IRGP30B120KD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 1.07 мДж

Сообщить о поступлении

IRGP30B60KD-EP IGBT 600V 60A 304W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 304W Переключаемая энергия: 350 µJ (on), 825 µJ (off)

Сообщить о поступлении

IRGP4066DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 454 Вт Переключаемая энергия: 2.47 мДж

Сообщить о поступлении

IRGP4066PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 454 Вт Переключаемая энергия: 2.47 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"