Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (262)
DG20X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
271 шт

Под заказ:
837 шт
Цена от:
от 100,73
DG40F12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
128 шт

Под заказ:
2 487 шт
Цена от:
от 283,04
DG40X12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
332 шт

Под заказ:
2 136 шт
Цена от:
от 394,99
DG50X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
135 шт

Под заказ:
3 185 шт
Цена от:
от 288,04
DG75X07T2L Биполярный транзистор IGBT, 650В 150А 980Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
116 шт

Под заказ:
120 шт
Цена от:
от 303,66
IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 326 Вт Переключаемая энергия: 2.65 мДж
Наличие:
1 427 шт

Под заказ:
490 шт
Цена от:
от 261,57
IKW40N120CS6XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
Наличие:
170 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 379,37
IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 483 Вт Переключаемая энергия: 4.4 мДж
Наличие:
912 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 374,62
IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 5.25 мДж
Наличие:
880 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 323,78
IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 428 Вт Переключаемая энергия: 4.5 мДж
Наличие:
1 518 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 437,41
IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 49 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
Наличие:
153 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 679,07
IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 96 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
1 443 шт

Под заказ:
990 шт
Цена от:
от 374,77
IRGP50B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
Наличие:
377 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 1 561,28
AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
Наличие:
13 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 556,76
AUIRGP4063D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
125 шт
Цена от:
от 1 600,29
DG25X12T2 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/25А общего применения Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247-3
Наличие:
44 шт

Под заказ:
417 шт
Цена от:
от 253,15
Новинка DG50Q12T2 Биполярный транзитсор IGBT 1200В 80A 672Вт TO-247 PLUS Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
12 шт

Под заказ:
580 шт
Цена от:
от 481,37
DG75Q12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 150A 937Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
35 шт

Под заказ:
3 126 шт
Цена от:
от 542,54
DG75X12T2 Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
42 шт

Под заказ:
1 444 шт
Цена от:
от 789,42
IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 306W
Наличие:
24 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 466,95
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"