Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (75)
IRG4BC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6.5 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB
Новинка IRG4BC30FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 124 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 230 мкДж
Акция IRG4BC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 49 А Импульсный ток коллектора макс.: 196 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
IRG4IBC10UDPBF IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6.8A Импульсный ток коллектора макс.: 27A Макс. рассеиваемая мощность: 25W Переключаемая энергия: 140 µJ (on), 120 µJ (off)
IRG4IBC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 17 А Импульсный ток коллектора макс.: 34 А Макс. рассеиваемая мощность: 45 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
IRG4IBC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 17 А Импульсный ток коллектора макс.: 68 А Макс. рассеиваемая мощность: 45 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
IRG4IBC30WPBF IGBT 600V 17A 45W TO220FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F
IRGB30B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 78 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 370 Вт Переключаемая энергия: 350 мкДж
IRGB4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
IRGIB10B60KD1P IGBT 600V 16A 44W TO220FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 16A Импульсный ток коллектора макс.: 32A Макс. рассеиваемая мощность: 44W Переключаемая энергия: 156 µJ (on), 165 µJ (off)
IRGIB15B60KD1P Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 52 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 19 А Импульсный ток коллектора макс.: 38 А Макс. рассеиваемая мощность: 52 Вт Переключаемая энергия: 127 мкДж
IRGIB6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 38 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 38 Вт Переключаемая энергия: 110 мкДж
ISL9V3040P3 Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W
Акция IXGP90N33TCM-A Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 40 А, 57 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 330 В Макс. ток коллектора: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 57W
Акция RJH30H1DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 40W
Акция RJP3065DPP Биполярный транзистор IGBT, 320 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F
Акция RJP30E2DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F
RJP43F4ADPP Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
RJP6065DPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 630V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
RJP63F3ADPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 630V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"