Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (49)
Акция HGTP12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Акция HGTP14N36GVL Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 14 А, 100 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
HGTP3N60A4 IGBT 600V 17A 70W TO220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
IGP15N60TXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 26 А, 130 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220
IKA08N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 10.8 А, 31.2 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 10.8 А Импульсный ток коллектора макс.: 24 А Макс. рассеиваемая мощность: 31.2 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж
IKP06N60TXKSA1 IGBT 600V 12A 88W TO220-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220
IKP15N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 45 А Макс. рассеиваемая мощность: 105 Вт Переключаемая энергия: 130 мкДж
IKP15N65H5XKSA1 IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 30A Импульсный ток коллектора макс.: 45A Макс. рассеиваемая мощность: 105W Переключаемая энергия: 120 µJ (on), 50 µJ (off)
IKP20N60H3XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 170W
IKP40N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 360 мкДж
IRG4BC20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 32 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 340 мкДж
IRG4BC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 34 А Импульсный ток коллектора макс.: 68 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 260 мкДж
IRGB14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430 В Макс. ток коллектора: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
IRGB4064DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 101 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 101 Вт Переключаемая энергия: 29 мкДж
Акция IRGB4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
IRGB4615DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 99 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 24 А Макс. рассеиваемая мощность: 99 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж
NGTB15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 117 Вт Переключаемая энергия: 550 мкДж
SGP02N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 6.2 А Импульсный ток коллектора макс.: 9.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 62 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж
SGP02N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 6.2A Макс. рассеиваемая мощность: 62W
SGP07N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 16.5 А Импульсный ток коллектора макс.: 27 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 1 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"