Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (49)

IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж

Наличие:

142 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 442,90₽

Акция

IRGB4059DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 8 А Импульсный ток коллектора макс.: 16 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 35 мкДж

Наличие:

225 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 54,09₽

STGP19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 130 Вт Переключаемая энергия: 85 мкДж

Наличие:

711 шт

Под заказ:

2 931 шт

Цена от:

от 221,22₽

Акция

STGP3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 14A Импульсный ток коллектора макс.: 20A Макс. рассеиваемая мощность: 75W Переключаемая энергия: 236 µJ (on), 290 µJ (off)

Наличие:

247 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 209,90₽

Новинка

IKP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

142 шт

Цена от:

от 382,07₽

Акция

IRG4BC40KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 42 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 620 мкДж

Наличие:

205 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 296,87₽

IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж

Наличие:

129 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 214,18₽

Акция

IRG4BC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж

Наличие:

381 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 194,90₽

Акция

IRGB15B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 62 А Макс. рассеиваемая мощность: 208 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж

Наличие:

129 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 302,35₽

IRGB20B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 215 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 215 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж

Наличие:

54 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 647,10₽

Акция

IRGB4061DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 36 А, 206 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 36 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 206 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж

Наличие:

179 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 115,99₽

IRGB4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 48 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж

Наличие:

30 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 247,83₽

Акция

IRGB4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 12 А Макс. рассеиваемая мощность: 58 Вт Переключаемая энергия: 140 мкДж

Наличие:

38 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 44,85₽

STGP10NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 56 Вт, 10 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 65 Вт Переключаемая энергия: 31.8 мкДж

Наличие:

258 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 242,12₽

STGP19NC60KD Биполярный транзистор с изолированным затвором 600В/20А/Uкэ нас.=1.8В/встроенный диод Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220

Наличие:

183 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 112,77₽

STGP7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж

Наличие:

275 шт

Под заказ:

110 шт

Цена от:

от 312,42₽

STGP8NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 65 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж

Наличие:

263 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 65,06₽

FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 139 Вт Переключаемая энергия: 150 мкДж

Сообщить о поступлении

Новинка

FGP20N60UFD IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

FGP20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"