Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (46)
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
142 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 331,62
Новинка
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
140 шт
Цена от:
от 288,78
Акция
IRG4BC40KPBF IRG4BC40KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
620 мкДж
Наличие:
125 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 271,68
IRG4BC40SPBF IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 172,26
IRG4BC40UPBF IRG4BC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 254,16
Акция
IRGB15B60KDPBF IRGB15B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
62 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 247,86
IRGB20B60PD1PBF IRGB20B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 215 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
215 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 518,10
Акция
IRGB4059DPBF IRGB4059DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
16 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
35 мкДж
Наличие:
224 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 49,38
IRGB4062DPBF IRGB4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
107 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 321,12
Акция
STGP10NC60HD STGP10NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 56 Вт, 10 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж
Наличие:
226 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 176,34
STGP19NC60HD STGP19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
130 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
1 054 шт

Внешние склады:
2 545 шт
Цена от:
от 188,34
Акция
STGP3NC120HD STGP3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
14A
Импульсный ток коллектора макс.:
20A
Макс. рассеиваемая мощность:
75W
Переключаемая энергия:
236 µJ (on), 290 µJ (off)
Наличие:
207 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 167,46
STGP7NC60HD STGP7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
275 шт

Внешние склады:
208 шт
Цена от:
от 302,34
STGP8NC60KD STGP8NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
130 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 53,10
Акция
IRGB4607DPBF IRGB4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
12 А
Макс. рассеиваемая мощность:
58 Вт
Переключаемая энергия:
140 мкДж
Наличие:
38 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,92
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
139 Вт
Переключаемая энергия:
150 мкДж
Новинка
FGP20N60UFD FGP20N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
FGP20N60UFDTU FGP20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Акция
HGTP12N60A4D HGTP12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Акция
HGTP14N36GVL HGTP14N36GVL Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 14 А, 100 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"