Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (35)
Акция AUIRGR4045D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Наличие:
27 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 286,90
STGD18N40LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 30 А, 150 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 420 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
Наличие:
409 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 102,62
STGD3NB60SDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 48 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 6 А Импульсный ток коллектора макс.: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 48 Вт Переключаемая энергия: 1.15 мДж
Наличие:
25 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 155,82
STGD6NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 21 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 20 мкДж
Наличие:
629 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 89,13
FGD3040G2-F085 Trans IGBT Chip N-CH 390V 25.6A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 390 В Макс. ток коллектора: 25.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 150 Вт
FGD3N60LSDTM Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 6 А Импульсный ток коллектора макс.: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 40 Вт Переключаемая энергия: 250 мкДж
FGD3N60UNDF IGBT 600V 6A 60W DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6A Импульсный ток коллектора макс.: 9A Макс. рассеиваемая мощность: 60W Переключаемая энергия: 52 µJ (on), 30 µJ (off)
HGTD1N120BNS9A Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 5.3 А Импульсный ток коллектора макс.: 6 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 70 мкДж
HGTD7N60C3S9A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 60 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 14 А Импульсный ток коллектора макс.: 56 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 165 мкДж
IKD03N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 5A Макс. рассеиваемая мощность: 53.6W
IKD04N60RATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 75000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 8A Макс. рассеиваемая мощность: 75W
IKD06N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 12A Макс. рассеиваемая мощность: 100W
IKD10N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 150000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 20A Макс. рассеиваемая мощность: 150W
Акция IRG4RC10SDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 38 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
Акция IRG4RC10UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8.5 А, 38 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
IRGR2B60KDTRRPBF IGBT 600V 6.3A 35W DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6.3A Импульсный ток коллектора макс.: 8A Макс. рассеиваемая мощность: 35W Переключаемая энергия: 74 µJ (on), 39 µJ (off)
Акция IRGR3B60KD2PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7.8 А, 52 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 7.8 А Импульсный ток коллектора макс.: 15.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 52 Вт Переключаемая энергия: 62 мкДж
IRGR3B60KD2TRRP Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7.8 А, 52 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 7.8A Макс. рассеиваемая мощность: 52W
IRGR4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Акция IRGR4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"