Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (51)
IRG4BC30W-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 130 мкДж
IRG4BH20K-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж
IRG4BH20K-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 22 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж
Акция IRGS14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430 В Макс. ток коллектора: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
59 шт.
Цена от:
от 328,57
IRGS14C40LTRLP Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
59 шт.
Цена от:
от 176,36
IRGS30B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 78 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 370 Вт Переключаемая энергия: 350 мкДж
Акция IRGS4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Акция IRGS4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 48 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
IRGS4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
IRGS6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 90 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 13 А Импульсный ток коллектора макс.: 26 А Макс. рассеиваемая мощность: 90 Вт Переключаемая энергия: 110 мкДж
IRGS8B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 167 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 28 А Импульсный ток коллектора макс.: 34 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж
ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W
ISL9V5036S3ST Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 46 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 390V Макс. ток коллектора: 46A Макс. рассеиваемая мощность: 250W
ISL9V5045S3ST Биполярный транзистор IGBT, 480 В, 51 А, 300 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 480V Макс. ток коллектора: 51A Макс. рассеиваемая мощность: 300W
NGB8202ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 150 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: D2PAK/TO263
NGB8245NT4G Биполярный транзистор IGBT, 490 В, 20 А, 150 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: D2PAK/TO263
RJP30H2ADPE Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 35A
SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 16.5A Макс. рассеиваемая мощность: 125W
SKB02N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 6.2A Макс. рассеиваемая мощность: 62W
STGB10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"