Одиночные IGBT транзисторы

52
Корпус: D2PAK/TO263
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (52)
IRGS4620DPBF IRGS4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Импульсный ток коллектора макс.:
36 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
115 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 218,58
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
440 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
2.4 мДж
Наличие:
317 шт

Внешние склады:
397 шт
Цена от:
от 175,50
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж
Наличие:
161 шт

Внешние склады:
688 шт
Цена от:
от 163,08
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
563 шт

Внешние склады:
116 000 шт
Цена от:
от 64,02
STGB18N40LZT4 STGB18N40LZT4 Биполярный транзистор IGBT 420В 30А 150Вт D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Наличие:
1 034 шт

Внешние склады:
12 800 шт
Цена от:
от 79,50
STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 7 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
180 шт

Внешние склады:
719 шт
Цена от:
от 114,36
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 200 шт
Цена от:
от 425,64
IRG4BC30FD-STRR IRG4BC30FD-STRR Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Наличие:
16 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 134,16
Акция
IRGS4056DPBF IRGS4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
48 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 189,00
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 130Вт D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
130W
Переключаемая энергия:
85 µJ (on), 189 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 158,70
STGB20NB41LZT4 STGB20NB41LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 442 В, 40 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
442 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
5 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
149 шт
Цена от:
от 273,36
STGB20NC60V STGB20NC60V Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 200Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
624 шт
Цена от:
от 173,10
Акция
STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
268 шт
Цена от:
от 167,82
AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30S-S Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 34A 100Вт D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
34A
Импульсный ток коллектора макс.:
68A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W
Переключаемая энергия:
260 µJ (on), 3.45mJ (off)
AUIRGS4062D1 AUIRGS4062D1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 59 А, 246 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
FGB20N60SF FGB20N60SF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
FGB3040CS FGB3040CS Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
430V
Макс. ток коллектора:
21A
Макс. рассеиваемая мощность:
150W
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
IRG4BC20UD-SPBF IRG4BC20UD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
13 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"