Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (15)
IRGB4062DPBF IRGB4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
108 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 328,68
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
2 857 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 144,60
SGW30N60FK SGW30N60FK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
112 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 444,48
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
333 мкДж
Наличие:
679 шт

Внешние склады:
7 шт
Цена от:
от 181,38
IRGP4640DPBF IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
65 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 407,76
FGA20S125P-SN00336 FGA20S125P-SN00336 Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
FGA25S125P FGA25S125P Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Акция
IRGS4062DPBF IRGS4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
IXLF19N250A IXLF19N250A Биполярный транзистор IGBT, 2500 В, 32 А, 250 Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
ISOPLUS i4-PAC[тм]
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
2500 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
15 мДж
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
160 А
Импульсный ток коллектора макс.:
300 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
2.5 мДж
SGL50N60RUFDTU SGL50N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.68 мДж
Новинка
SKW30N60HS SKW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
112 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
STGW40NC60KD STGW40NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 38 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
595 мкДж
Акция
STGW40NC60WD STGW40NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
230 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
302 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"