Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (24)

AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Наличие:

13 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 556,76₽

IRG4PC50FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж

Наличие:

29 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 3 570,51₽

Акция

IRG4PC50FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж

Наличие:

8 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 544,50₽

IRG4PC50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 120 мкДж

Наличие:

24 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 836,46₽

IRG4PF50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 900 В Макс. ток коллектора: 51 А Импульсный ток коллектора макс.: 204 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 190 мкДж

Наличие:

51 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 894,29₽

STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж

Наличие:

323 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 283,18₽

STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж

Наличие:

3 шт

Под заказ:

210 шт

Цена от:

от 341,34₽

IRG4P254S Биполярный транзистор IGBT, 250 В, 98 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 250 В Макс. ток коллектора: 98 А Импульсный ток коллектора макс.: 196 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 104 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 52 А Импульсный ток коллектора макс.: 104 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.61 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 52 А Импульсный ток коллектора макс.: 104 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 140 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 720 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 990 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

90 шт

Цена от:

от 136,09₽

IRG4PF50WDPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 900 В Макс. ток коллектора: 51 А Импульсный ток коллектора макс.: 204 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 2.63 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PH50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 3.83 мДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

380 шт

Цена от:

от 298,10₽

IRG4PH50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.21 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PH50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

380 шт

Цена от:

от 298,10₽

IRG4PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 530 мкДж

Сообщить о поступлении

IRGP6640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 53 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 53 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 300 мкДж

Сообщить о поступлении

STGB20NB41LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 442 В, 40 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 442 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 5 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"