Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (24)

AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

57 А

Импульсный ток коллектора макс.:

114 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

1.8 мДж

Наличие:

92 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 382,02₽

STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

60 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

220 мкДж

Наличие:

217 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 249,12₽

STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

60 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

305 мкДж

Наличие:

299 шт

Внешние склады:

210 шт

Цена от:

от 247,74₽

IRG4PC50FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

70 А

Импульсный ток коллектора макс.:

280 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

1.5 мДж

Наличие:

21 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3 015,90₽

Акция

IRG4PC50FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

70 А

Импульсный ток коллектора макс.:

280 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

370 мкДж

Наличие:

8 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 358,64₽

IRG4PC50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

55 А

Импульсный ток коллектора макс.:

220 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

120 мкДж

Наличие:

35 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 463,94₽

IRG4P254S Биполярный транзистор IGBT, 250 В, 98 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

250 В

Макс. ток коллектора:

98 А

Импульсный ток коллектора макс.:

196 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

380 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 104 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

52 А

Импульсный ток коллектора макс.:

104 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

1.61 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

52 А

Импульсный ток коллектора макс.:

104 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

490 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

70 А

Импульсный ток коллектора макс.:

140 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

720 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PC50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

55 А

Импульсный ток коллектора макс.:

220 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

990 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

382 шт

Цена от:

от 136,09₽

IRG4PF50WDPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

900 В

Макс. ток коллектора:

51 А

Импульсный ток коллектора макс.:

204 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

2.63 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PF50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

900 В

Макс. ток коллектора:

51 А

Импульсный ток коллектора макс.:

204 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

190 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PH50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

45 А

Импульсный ток коллектора макс.:

90 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

3.83 мДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 516 шт

Цена от:

от 250,74₽

IRG4PH50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

45 А

Импульсный ток коллектора макс.:

90 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

1.21 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

57 А

Импульсный ток коллектора макс.:

114 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

1.8 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4PH50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

45 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

2.1 мДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 516 шт

Цена от:

от 250,74₽

IRG4PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

45 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

530 мкДж

Сообщить о поступлении

IRGP6640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 53 А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

53 А

Импульсный ток коллектора макс.:

72 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

300 мкДж

Сообщить о поступлении

STGB20NB41LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 442 В, 40 А, 200 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

442 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

200 Вт

Переключаемая энергия:

5 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"