Одиночные IGBT транзисторы

9
Импульсный ток коллектора макс.: 40 А
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (9)
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
440 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
2.4 мДж
Наличие:
294 шт

Внешние склады:
1 191 шт
Цена от:
от 151,62
STGD18N40LZT4 STGD18N40LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 30 А, 150 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
420 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Наличие:
1 024 шт

Внешние склады:
40 000 шт
Цена от:
от 100,56
STGP10H60DF STGP10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
83 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 136,08
IRG4PH30KDPBF IRG4PH30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
IRG4PH30KPBF IRG4PH30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
640 мкДж
IRGB4064DPBF IRGB4064DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 101 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
101 Вт
Переключаемая энергия:
29 мкДж
STGB10H60DF STGB10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
83 мкДж
STGB20N40LZ STGB20N40LZ Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 25 А, 150 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
390 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
150 Вт
STGF10H60DF STGF10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 30 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
30 Вт
Переключаемая энергия:
83 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"