Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (9)
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
1 133 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 216,96
Акция
IRG4PC40FPBF IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 511,50
IRG4PSC71UPBF IRG4PSC71UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO274AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
420 мкДж
Наличие:
153 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 546,30
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 99 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
99 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
8.8 мДж
Наличие:
28 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 009,08
FGA50N100BNTD2 FGA50N100BNTD2 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
156 Вт
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
IRG4PSC71KDPBF IRG4PSC71KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 85 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
3.95 мДж
IRG4PSC71KPBF IRG4PSC71KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 85 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
790 мкДж
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
535 Вт
Переключаемая энергия:
3.4 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"