Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (14)
STGP19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 130 Вт Переключаемая энергия: 85 мкДж
Наличие:
711 шт

Под заказ:
2 921 шт
Цена от:
от 225,64
IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 217 Вт Переключаемая энергия: 1.55 мДж
Наличие:
14 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 336,36
Акция IRG7PH35UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 180 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж
Наличие:
103 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 359,53
Акция IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 210 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж
Наличие:
117 шт

Под заказ:
160 шт
Цена от:
от 430,44
STGF19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 32W Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 32 Вт Переключаемая энергия: 85 мкДж
Наличие:
638 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 183,49
STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 42 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 85 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
40 шт
Цена от:
от 939,80
FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт
FGA20S125P-SN00336 Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 40 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт
FGB20N60SF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 208 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 165 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
IRG4PH40KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 1.31 мДж
STGD7NB60ST4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 55 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 55 Вт Переключаемая энергия: 3.5 мДж
STGP15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 136 мкДж
STGW15H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 259 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"