Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (15)
STGB10NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 440 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 2.4 мДж
Наличие:
396 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 442,40
STGB10NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 65 Вт Переключаемая энергия: 31.8 мкДж
Наличие:
195 шт

Под заказ:
400 шт
Цена от:
от 218,70
STGB10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 65 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
Наличие:
185 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 78,62
STGP10NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 56 Вт, 10 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 65 Вт Переключаемая энергия: 31.8 мкДж
Наличие:
256 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 238,15
STGP10NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт Производитель: ST Microelectronics Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 65 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
Наличие:
574 шт

Под заказ:
530 шт
Цена от:
от 135,21
FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 139 Вт Переключаемая энергия: 150 мкДж
IRG4PH30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 950 мкДж
IRG4PH30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 640 мкДж
IRGB14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430 В Макс. ток коллектора: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
IRGB4064DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 101 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 101 Вт Переключаемая энергия: 29 мкДж
Акция IRGS14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430 В Макс. ток коллектора: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
59 шт.
Цена от:
от 331,67
STGB10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
STGD10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 62 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 62 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
STGF10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 30 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 30 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
STGP10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"