Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (20)

IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж

Наличие:

79 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 193,55₽

IRG4PC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж

Наличие:

60 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 561,33₽

IRGP35B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 308 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж

Наличие:

217 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 534,74₽

STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж

Наличие:

355 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 285,80₽

STGW30H60DFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 260 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

5 шт

Цена от:

от 590,41₽

STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж

Наличие:

5 шт

Под заказ:

207 шт

Цена от:

от 344,65₽

STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 258 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 287,72₽

STGWT30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 258 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж

Наличие:

64 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 258,34₽

FGH30N60LSDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 1.1 мДж

Сообщить о поступлении

FGH30S130P Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1300 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 500 Вт

Сообщить о поступлении

FGL60N100BNTD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт

Сообщить о поступлении

FGL60N100BNTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт

Сообщить о поступлении

HGTG30N60B3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 208 Вт Переключаемая энергия: 550 мкДж

Сообщить о поступлении

IRGP30B120KD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 1.07 мДж

Сообщить о поступлении

STGB30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 258 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGP30NC60W Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGP30V60F Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 220 Вт Переключаемая энергия: 1.66 мДж

Сообщить о поступлении

STGW30NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 125 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 350 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW35HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 290 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

90 шт

Цена от:

от 202,76₽

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"