Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (20)
IRG4BC40SPBF IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 172,26
Акция
IRG4PC40SPBF IRG4PC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 437,16
STGWT30V60DF STGWT30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 229,92
STGW20NC60VD STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
27 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 281,04
STGW30H60DFB STGW30H60DFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 шт
Цена от:
от 586,92
STGW30NC60WD STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
305 мкДж
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 247,74
FGH30N60LSDTU FGH30N60LSDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
1.1 мДж
FGH30S130P FGH30S130P Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1300 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
500 Вт
FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
HGTG30N60B3D HGTG30N60B3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
IRGP30B120KD-EP IRGP30B120KD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
1.07 мДж
IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
308 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
STGB30V60DF STGB30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Акция
STGP30NC60W STGP30NC60W Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
305 мкДж
Акция
STGP30V60F STGP30V60F Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
220 Вт
Переключаемая энергия:
1.66 мДж
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
125 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
350 мкДж
STGW30V60DF STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
STGW35HF60WDA STGW35HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
290 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
382 шт
Цена от:
от 202,76
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"