Одиночные IGBT транзисторы

16
Макс. ток коллектора: 80A
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (16)
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
306W
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
244 шт
Цена от:
от 256,44
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
638 шт

Внешние склады:
7 328 шт
Цена от:
от 313,20
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 305Вт PG-TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
150A
Макс. рассеиваемая мощность:
305W
Переключаемая энергия:
520 µJ (on), 180 µJ (off)
Наличие:
244 шт

Внешние склады:
157 шт
Цена от:
от 194,76
STGWA40M120DF3 STGWA40M120DF3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
468W
Переключаемая энергия:
1.03mJ (on), 480 µJ (off)
Наличие:
77 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 335,46
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 230Вт TO247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W
Переключаемая энергия:
630 µJ (on), 140 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
335 шт
Цена от:
от 177,48
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
150A
Макс. рассеиваемая мощность:
305W
Переключаемая энергия:
520 µJ (on), 180 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
318 шт
Цена от:
от 360,48
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 80A 428Вт TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
225A
Макс. рассеиваемая мощность:
428W
Переключаемая энергия:
3mJ (on), 1.7mJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
364 шт
Цена от:
от 538,20
RJH60F5DPQ RJH60F5DPQ Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
260W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 641,76
STGW40H60DLFB STGW40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
283W
Переключаемая энергия:
363 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 430,08
STGW40V60DLF STGW40V60DLF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
283W
Переключаемая энергия:
411 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 429,30
AIKW50N65DF5 AIKW50N65DF5 Биполярный транзистор IGBT, 650В 80А 270Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
270W
FGH80N60FDTU FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
1mJ (on), 520 µJ (off)
IXBT42N170 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1700В 80A 360Вт TO268
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-268
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1700V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
300A
Макс. рассеиваемая мощность:
360W
NGTB40N120IHRWG NGTB40N120IHRWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 384 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
384W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
STGW60H60DLFB STGW60H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
626 мкДж
STGW60V60F STGW60V60F Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 80A 375Вт TO247
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
240A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
750 µJ (on), 550 µJ (off)
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"