Одиночные IGBT транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (10)

STGW80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж

Наличие:

35 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 445,92₽

FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 1.81 мДж

Сообщить о поступлении

FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PN Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт Переключаемая энергия: 1.54 мДж

Сообщить о поступлении

FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 378 Вт Переключаемая энергия: 1.79 мДж

Сообщить о поступлении

FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт Переключаемая энергия: 1.26 мДж

Сообщить о поступлении

STGW60H65DF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 360 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 360 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

STGW60H65DRF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 420 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 420 Вт Переключаемая энергия: 940 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW60H65F Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 360 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 360 Вт Переключаемая энергия: 750 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW80V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 469 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Сообщить о поступлении

STGWT80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 80А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"