Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (25)
Акция STGP3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 14A Импульсный ток коллектора макс.: 20A Макс. рассеиваемая мощность: 75W Переключаемая энергия: 236 µJ (on), 290 µJ (off)
Наличие:
247 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 209,90
IGW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 75A Макс. рассеиваемая мощность: 270W
Наличие:
35 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 612,81
Акция IHW20N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 310W Переключаемая энергия: 950 мкДж
Наличие:
460 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 228,61
IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 8A
Наличие:
247 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 258,87
Акция IKW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A
Наличие:
14 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 221,17
APT25GN120SG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: D3Pak Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 67A Импульсный ток коллектора макс.: 75A Макс. рассеиваемая мощность: 272W
FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 64A Макс. рассеиваемая мощность: 500W
IGD01N120H2BUMA1 IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 3.2A Импульсный ток коллектора макс.: 3.5A Макс. рассеиваемая мощность: 28W Переключаемая энергия: 140 µJ
IGW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 217W
IHW20N120R5XKSA1 IGBT 1200V 40A 288W TO247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 288W Переключаемая энергия: 750 µJ (off)
IKW15T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 110W
IRG4BH20K-LPBF IGBT 1200V 11A 60W TO262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 11A Импульсный ток коллектора макс.: 22A Макс. рассеиваемая мощность: 60W Переключаемая энергия: 450 µJ (on), 440 µJ (off)
IRG4PH40KPBF IGBT 1200V 30A 160W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 160W Переключаемая энергия: 730 µJ (on), 1.66mJ (off)
IRG7PH42UD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 85A Макс. рассеиваемая мощность: 313W Переключаемая энергия: 1.21 мДж
IXGA20N120A3 IGBT 1200V 40A 180W TO263 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXGA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 180W Переключаемая энергия: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
IXYN82N120C3H1 IGBT-транзистор 1200В 105А 500Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-227 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 105A Макс. рассеиваемая мощность: 500W
Акция NGTB30N120IHSWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Переключаемая энергия: 1 мДж
NGTB40N120FL3WG Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ON Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 454W
NGTB40N120IHRWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 384 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 384W Переключаемая энергия: 950 мкДж
SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 16.5A Макс. рассеиваемая мощность: 125W
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"